STW25N60M2-EP

STW25N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高压、高开关频率的应用，其核心优势在于优异的动态性能与低导通损耗的平衡。

该MOSFET提供600V的漏源电压（V_DSS）额定值和18A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力。其关键特性包括极低的导通电阻（188mΩ @ 9A, 10V）和较低的栅极电荷（29nC @ 10V），这共同确保了在高频开关条件下仍能保持高效率。器件采用TO-247封装，最大结温为150°C，功率耗散能力达150W（T_C），具备坚固的工业级可靠性。

• 型号:STW25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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