STW25NM60ND

STW25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下21A的连续漏极电流（I_D）能力。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为160毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的工作效率。同时，80nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换。这些特性使其成为适用于开关电源、电机驱动和功率转换等高压、高可靠性应用的理想选择。

• 型号:STW25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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