STB20NK50ZT4技术参数详情：
STB20NK50ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其高电压与低损耗的平衡设计，提供500V的漏源电压（Vdss）和低至270毫欧（@10V， 8.5A）的导通电阻，有效降低了功率导通阶段的能量损耗。
其电气参数支持高效功率开关应用，最大连续漏极电流达17A（Tc），栅极电荷（Qg）典型值为119nC，有利于实现快速的开关速度，提升系统整体效率。器件结温最高可承受150°C，功率耗散能力为190W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业功率控制等应用的理想选择。
- 型号:STB20NK50ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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