STW26N60M2技术参数详情：
STW26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。
它提供600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）处理能力。关键参数方面，其导通电阻（Rds(on)）在10A、10V条件下典型值极低，同时栅极电荷（Qg）也保持在较低水平，这共同确保了低传导损耗和高频开关效率。器件采用TO-247封装，最大结温150°C，适合要求高可靠性与散热能力的工业及消费类电源解决方案。
- 型号:STW26N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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