STD1NK80Z-1技术参数详情：
STD1NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和1A连续漏极电流，采用通孔式I-PAK封装，专为要求高可靠性的功率开关应用而设计。
其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性的结合。极低的栅极电荷（Qg最大值7.7nC）和输入电容确保了快速开关能力，能有效降低高频工作下的开关损耗。同时，在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于最小化传导损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和45W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工作环境。
- 型号:STD1NK80Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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