STW26NM50

STW26NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）与30A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，专为高功率应用设计。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合，典型导通电阻（Rds(on)）为120毫欧@10V，典型栅极电荷（Qg）为106nC，这有助于显著降低系统的传导与开关损耗。最大结温150°C和313W的功率耗散能力确保了其在严苛工况下的可靠性与稳定性。

• 型号:STW26NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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