STP18NM80技术参数详情：
STP18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh技术，封装形式为TO-220AB。其核心电气参数定义了强大的性能基础：800V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）使其能够胜任高压大电流的开关任务。
该器件的突出优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）典型值低至295毫欧（@10V, 8.5A），配合仅70nC的栅极电荷（Qg），共同确保了极低的导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率。高达150°C的结温（TJ）和190W的功率耗散能力，进一步保障了其在高温高功率环境下的可靠运行。
- 型号:STP18NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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