STT6N3LLH6技术参数详情：
STT6N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-6表面贴装封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，在30V漏源电压（Vdss）下支持6A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通损耗与开关损耗。
其关键参数包括：在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为25毫欧（@3A），栅极电荷（Qg）最大值低至3.6nC（@4.5V）。这些特性使其能够实现高效的功率转换和快速的开关速度，同时与低电压逻辑驱动电路兼容。其紧凑的封装和高结温（150°C TJ）能力，使其成为高密度、高效率电源和电机驱动应用的可靠解决方案。
- 型号:STT6N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:283 pF @ 24 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-6
- 封装/外壳:SOT-23-6
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