STW30N20

STW30N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200V的电压和30A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值75mΩ @ 15A, 10V），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。

此外，其优化的栅极电荷（38nC @ 10V）和输入电容特性有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化驱动电路的设计。尽管该产品目前已停产，但其125W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，曾使其成为工业电源、电机驱动和功率转换等领域中追求高可靠性与高性能的经典解决方案之一。

• 型号:STW30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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