STW30NM60N技术参数详情：
STW30NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气特性基础。
其技术亮点在于MDmesh II技术带来的低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为130毫欧 @ 12.5A，有效降低了传导损耗。同时，最大91nC的栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关切换，从而提升系统整体效率并简化驱动设计。这些特性使其成为高效率电源和工业功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW30NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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