STW34NB20技术参数详情：
STW34NB20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括200V的漏源电压(Vdss)和在壳温条件下34A的连续漏极电流(Id)处理能力。
其关键优势在于优异的导通与开关特性：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至75毫欧（@17A），能显著降低功率传导损耗；同时，极低的栅极电荷(Qg，最大80nC)和输入电容有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动及工业功率转换等应用的理想选择。
- 型号:STW34NB20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW34NB20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
