STW35N60DM2技术参数详情：
STW35N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
其关键性能优势体现在极低的导通损耗与优异的开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧 @ 14A，同时栅极总电荷（Qg）低至54nC @ 10V。这种低Rds(on)与低Qg的组合，确保了在高频开关电源设计中能够同时实现高效率与低电磁干扰（EMI）。
此外，器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达210W（Tc），具备出色的热性能和可靠性，使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等苛刻应用的理想选择。
- 型号:STW35N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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