STW35N65DM2

STW35N65DM2是STMicroelectronics推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于650V的高漏源击穿电压与32A的高连续电流能力相结合，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

该器件的关键技术参数突出其高效率特性：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110mΩ，有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至56.3nC，有助于实现快速开关并显著降低开关损耗。这些特性使其特别适用于追求高功率密度和高效率的电源转换系统。

• 型号:STW35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2540 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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