STW36NM60N技术参数详情：
STW36NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道600V功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，在25°C壳温下可提供高达29A的连续漏极电流，其最大导通电阻低至105毫欧（@10V，14.5A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统能效。
其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷仅为83.6nC，有助于实现快速的开关转换并降低驱动损耗。结合600V的高漏源击穿电压和150°C的最大结温，该器件为要求严苛的功率开关应用提供了一个可靠、高效的解决方案，适用于工业电源、电机驱动等高功率密度场景。
- 型号:STW36NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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