STGW20H60DF技术参数详情：
STGW20H60DF是意法半导体推出的一款600V、40A的沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，典型饱和压降Vce(on)低至2V @ 15V，20A，有助于降低系统导通损耗。
该器件具备快速的开关特性，开关能量分别为209J（开）和261J（关），反向恢复时间为90ns，支持较高频率的开关操作。其最大功耗为167W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在工业环境下的高可靠性与鲁棒性。
- 型号:STGW20H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:209J（导通），261J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:115 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):90 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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