STW36NM60ND技术参数详情：
STW36NM60ND是ST意法半导体FDmesh II系列中的一款汽车级(AEC-Q101)N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心电气参数包括600V的漏源电压(Vdss)和29A的连续漏极电流(Id)，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键性能优势体现在极低的导通损耗与优化的开关特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为110mΩ，同时栅极总电荷(Qg)典型值为80.4nC，这共同实现了高效率与低驱动损耗的平衡。这些特性使其成为汽车车载充电器(OBC)、DC-DC转换器及工业电源等高要求功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW36NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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