STB14NM65N

STB14NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术亮点在于通过MDmesh II技术实现了优异的动态性能与低损耗特性。具体表现为较低的导通电阻（Rds(on)典型值380mΩ @ 10V, 6A）与优化的栅极电荷（Qg最大值45nC @ 10V），这有助于同时降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±25V的宽栅极驱动电压范围，确保了设计的灵活性与鲁棒性。

• 型号:STB14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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