STD35P6LLF6

STD35P6LLF6是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和高达35A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为28毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）低至30nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为同步整流、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:STD35P6LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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