STW42N65M5

STW42N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为650V，在25°C壳温下可承受33A的连续漏极电流，其核心优势在于实现了79毫欧的低导通电阻与100nC低栅极电荷的出色结合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

器件采用TO-247-3通孔封装，最大功耗达190W，结温工作范围上限为150°C，确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。其±25V的栅源电压容限增强了驱动电路的健壮性。这些参数特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择，尤其适用于开关电源、PFC及电机驱动等工业功率转换领域。

• 型号:STW42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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