STW45N60DM6技术参数详情：
STW45N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和30A连续漏极电流（Id），专为高效功率转换而设计。
其关键优势在于极低的导通电阻（典型值99mΩ @ 10V, 15A）与优化的动态参数，如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这共同实现了更低的导通与开关损耗，从而提升系统整体效率。该MOSFET支持高达210W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的鲁棒性和长期可靠性。
- 型号:STW45N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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