NAND256W3A2BN6F技术参数详情：
NAND256W3A2BN6F是ST意法半导体推出的一款256Mb（32M x 8）并行接口NAND闪存存储器，采用48-TSOP封装。该器件基于成熟的NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围与-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在多样化应用环境下的稳定性和兼容性。
其核心特性包括50ns的页写周期时间与访问时间，在数据吞吐性能与成本之间取得了良好平衡。该芯片适用于需要中等存储密度、顺序数据存取以及高可靠性的嵌入式系统，是工业控制、网络通信和办公自动化设备中固件与参数存储的经典选择之一。
- 型号:NAND256W3A2BN6F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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