STW45N65M5

STW45N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心优势在于650V的漏源击穿电压（V_DSS）与35A（Tc）的连续漏极电流（I_D）能力，为系统提供了坚固的电气基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为78mΩ，这直接转化为更低的传导损耗。同时，最大91nC的栅极电荷（Q_G @10V）有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。结合210W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高工作结温，该器件能够满足高效率、高功率密度电源设计的苛刻要求。

• 型号:STW45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW45N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。