STW45NM60技术参数详情：
STW45NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与低至110毫欧（@10V， 22.5A）的导通电阻（Rds(on)），这得益于其采用的MDmesh技术，实现了优异的耐压与传导损耗平衡。
该器件在壳温条件下可支持高达45A的连续漏极电流和417W的功率耗散，工作结温高达150°C，展现出强大的电流处理能力和高温可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的开关电源、电机驱动及工业逆变器等应用的理想选择。
- 型号:STW45NM60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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