STW56N60DM2技术参数详情：
STW56N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于实现了600V高耐压与极低导通电阻的出色结合，其Rds(on)典型值在10V驱动下低至60毫欧（@25A），能显著降低功率损耗。
该MOSFET具备50A的连续漏极电流处理能力和高达360W的功率耗散能力，采用TO-247封装，散热性能优良。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现高速开关并简化驱动设计。这些特性使其成为工业电源、电机驱动、UPS等高效能、高可靠性功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW56N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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