STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，专为高要求应用设计。其核心特性在于650V的漏源电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至65毫欧的导通电阻（Rds(on) @ 10V, 24A），能够显著降低导通损耗。

该器件进一步优化了动态性能，其栅极电荷（Qg）典型值仅为88nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，确保其满足汽车级应用的可靠性标准，工作结温范围达-55°C至150°C。这些参数使其成为追求高效率和高功率密度设计的工程师在工业电源、汽车电力和新能源系统中的优选功率开关解决方案。

• 型号:STW58N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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