STP22NS25Z技术参数详情：
STP22NS25Z是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于MESH OVERLAY系列。该器件核心卖点在于其250V的漏源电压（Vdss）与22A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
其电气参数经过优化，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为150毫欧（@11A），有助于显著降低导通损耗。同时，151nC的栅极电荷（Qg）与合理的输入电容，平衡了开关速度与驱动需求。尽管该型号目前已停产，但其135W的功率处理能力和宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C），使其在过去的设计中广泛应用于要求严苛的功率转换领域。
- 型号:STP22NS25Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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