STW60NE10技术参数详情：
STW60NE10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于基于STripFET技术，实现了100V漏源电压（Vdss）与低至22毫欧（@10V，30A）的导通电阻之间的优异平衡，这直接转化为在高电流（连续漏极电流Id可达60A）工作状态下更低的传导损耗。
该器件具备良好的开关性能，其栅极电荷（Qg）最大值为185nC，有助于降低开关损耗并简化驱动设计。高达180W的功率耗散能力和175°C的最大工作结温，确保了其在严苛环境下的可靠性与热稳定性。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STW60NE10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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