STW65N65DM2AG技术参数详情：
STW65N65DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件隶属于先进的MDmesh DM2产品系列，核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和60A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至50毫欧（@30A），有效降低了导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为120nC（@10V），有助于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其非常适用于要求高可靠性、高功率密度和高效率的汽车及工业电源转换系统。
- 型号:STW65N65DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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