STL25N15F3技术参数详情：
STL25N15F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于中压功率开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。
该MOSFET具备150V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id）能力。关键参数方面，其在10V栅极驱动下呈现出极低的导通电阻，有助于最小化导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关速度与较低的驱动损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，适用于高功率密度设计。
- 型号:STL25N15F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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