STW70N10F4技术参数详情：
STW70N10F4是ST意法半导体基于STripFET技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压和高达65A的连续漏极电流承载能力，结合其极低的导通电阻（典型值19.5mΩ @ 10V, 30A），能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体系统效率。
此外，其优化的栅极电荷（最大85nC）和宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），确保了器件在高速开关应用中的性能与可靠性，同时适应严苛的环境条件。这些参数特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路的理想选择。
- 型号:STW70N10F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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