STF60N55F3

STF60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用TO-220FP封装，设计用于55V电压等级的中等功率应用。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在32A电流时仅为8.5毫欧，确保了导通状态下的高效率。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大45nC）和输入电容（Ciss）使其具备快速的开关能力，有助于降低开关损耗并提升工作频率。该器件在壳温25°C时可连续通过42A电流，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，提供了可靠的功率处理能力和环境适应性。

• 型号:STF60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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