STW75N20

STW75N20是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200V的电压和75A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值34mΩ @ 10V, 37A），这能显著降低功率损耗，提升系统能效。

此外，其优化的栅极电荷（最大84nC @ 10V）有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。结合190W的最大功率耗散能力和宽泛的工作结温范围（-50°C至150°C），使其能够在高功率密度和热管理要求严格的环境中稳定运行。

• 型号:STW75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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