STW75N60DM6技术参数详情：
STW75N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh DM6技术制造，封装形式为TO-247。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达72A的连续漏极电流（Id）承载能力，定位为高压、大电流应用的高性能开关解决方案。
其技术优势在于MDmesh DM6平台带来的低导通电阻与优良开关特性的结合，旨在显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗。这使得它成为提升系统效率和功率密度的关键元件，适用于要求严苛的工业电源与能源转换领域。
- 型号:STW75N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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