STW75N60M6-4技术参数详情：
STW75N60M6-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247-4封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和72A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至36毫欧的导通电阻（RDS(on)），旨在显著降低高压大电流应用中的导通损耗。
其技术特性围绕高效率开关而优化，最大栅极电荷（Qg）仅为106nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持高达446W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些参数使其成为工业开关电源、电机驱动、光伏逆变器等高效能功率转换系统的理想选择。
- 型号:STW75N60M6-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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