STW75NF30技术参数详情：
STW75NF30是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为300V漏源电压（Vdss）与60A连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。
其关键性能优势在于优异的导通特性，在10V驱动电压、30A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧，能显著降低传导损耗。同时，164nC的最大栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升开关电源的效率和功率密度。这些参数使其成为工业电源、电机驱动等高效能转换应用的理想选择。
- 型号:STW75NF30
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5930 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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