STW78N65M5技术参数详情：
STW78N65M5是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术，在TO-247封装内实现了650V漏源电压（Vdss）与69A连续漏极电流（Id）的高功率处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值32mΩ）与优化的栅极电荷（Qg）。
这些特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了出色平衡，显著提升了电源系统的整体效率。其设计旨在满足汽车电子及工业应用中对高温操作（Tj=150°C）、高可靠性和高效率的严格要求，适用于开关电源、电机驱动及新能源转换等关键功率开关场景。
- 型号:STW78N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:203 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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