STW7N90K5

STW7N90K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的动态性能，旨在满足高效率、高可靠性功率转换的需求。

其技术优势体现在较低的导通电阻与开关损耗的平衡上，在10V栅极驱动下即可实现优异的导通特性。封装采用TO-247-3，提供7A的连续漏极电流（T_C=25°C）和110W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

这款MOSFET主要面向工业级开关电源、功率因数校正（PFC）以及电机驱动等高压应用，为设计人员提供了一个在性能与鲁棒性之间取得卓越平衡的解决方案。

• 型号:STW7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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