STW7N95K3技术参数详情：
STW7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心特性在于其950V的高漏源电压（Vdss）与优化的动态参数，旨在为高压开关应用提供高效率与高可靠性。
其关键电气参数包括：在壳温条件下7.2A的连续漏极电流（Id）和150W的最大功率耗散能力。通过先进的制程技术，它在10V驱动电压下实现了低至1.35欧姆（@3.6A）的导通电阻，同时保持了较低的栅极电荷（34nC @10V）和输入电容。这些特性共同作用，有效降低了导通与开关损耗，提升了电源系统的整体能效。
该器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），栅源电压可耐受±30V，为设计提供了充分的灵活性和安全裕度。它主要适用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及各类中高功率的AC-DC转换拓扑。
- 型号:STW7N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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