STB47N50DM6AG技术参数详情：
STB47N50DM6AG是ST意法半导体生产的一款汽车级N沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为500V，专为应对汽车高压环境而设计，提供了可靠的电压阻断能力。
其核心优势在于实现了低导通电阻与优化开关特性的结合，旨在最大限度地降低功率损耗，提升系统效率。采用DPAK（TO-263）表面贴装封装，具备良好的热性能，完全符合汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的严苛要求。
- 型号:STB47N50DM6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:71 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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