STW7NK90Z

STW7NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其900V的高压阻断能力与低至2欧姆（@10V Vgs, 2.9A Id）的导通电阻的出色结合，这得益于先进的芯片技术，有效优化了高压应用中的传导损耗。

其电气参数设计兼顾了效率与易用性：最大栅极电荷（Qg）仅为60.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作；宽泛的栅极电压范围（±30V）和明确的阈值电压提供了稳定的驱动特性。封装采用标准的TO-247-3，支持高达140W（Tc）的功率耗散和5.8A（Tc）的连续电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的鲁棒性与长寿命。

• 型号:STW7NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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