STL42P4LLF6

STL42P4LLF6是意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6系列。该器件采用先进的沟槽工艺，在紧凑的PowerFlat封装内实现了高达42A的连续漏极电流处理能力和40V的漏源电压，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值）和栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。

其设计兼顾了高性能与易用性，具备较低的栅极驱动电压要求，可与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。同时，优异的封装热特性确保了在高功率耗散下的可靠工作。这些特性使其成为空间受限、对效率和热管理有严苛要求的应用，如高端负载开关、电机驱动和电源转换电路的理想选择。

• 型号:STL42P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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