STW80NF55-08

STW80NF55-08是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心优势在于其卓越的电流承载能力与极低的导通损耗。其额定漏源电压为55V，在壳温25°C下可支持高达80A的连续漏极电流，而导通电阻在标准10V驱动下可低至8毫欧（@40A），这显著降低了功率应用中的传导损耗。

此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为150nC，有助于实现高效的开关性能并简化驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达300W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STW80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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