STW8NB100

STW8NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）以及7.3A（T_C）的连续电流处理能力，专为高压功率应用设计。

其技术亮点包括较低的导通电阻（1.45Ω @ 10V, 3.6A）和栅极电荷（95nC @ 10V），这共同保障了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统效率。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为190W（T_C），具备良好的热性能与可靠性，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STW8NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.45 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW8NB100，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。