STW90NF20技术参数详情：
STW90NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和高达83A（Tc）的连续漏极电流，提供了坚实的电压与电流处理能力基础。
其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值低至23毫欧（@45A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在164nC，有助于实现高效的开关操作，减少开关损耗，从而提升整体系统的能效。这些特性使其成为对效率和可靠性有严苛要求的工业电源与电机驱动应用的理想选择之一。
- 型号:STW90NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 83A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5736 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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