STW9NK70Z技术参数详情：
STW9NK70Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。其核心电气参数包括700V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态性能，最大导通电阻（Rds(on)）仅为1.2欧姆 @ 4A, 10V，同时最大栅极电荷（Qg）控制在68nC @ 10V。这种低Rds(on)与低Qg的组合，有效平衡了导通损耗与开关损耗，有助于提升系统的整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为156W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。
- 型号:STW9NK70Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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