STWA30N65DM6AG

STWA30N65DM6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具备650V的漏源击穿电压（V_DSS）和28A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，为高电压、大电流应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在导通特性上，其最大导通电阻（R_DS(on)）低至110mΩ（@14A, 10V），有效降低了功率传导损耗。在开关特性上，较低的栅极电荷（Q_G）有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性共同确保了系统在高频工作下的高效率与低热耗散。

结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围以及汽车级的可靠性认证，STWA30N65DM6AG非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的汽车电子及工业电源系统，如车载充电器、DC-DC转换器和电机驱动等应用。

• 型号:STWA30N65DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:284W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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