STWA40N90K5技术参数详情：
STWA40N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为900V漏源电压（Vdss）和40A连续漏极电流（Id），具备处理高功率应用的坚实基础。
其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至99毫欧（@20A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为89nC。这种特性组合有助于降低系统整体的传导与开关损耗，提升能效。此外，其高达446W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。
- 型号:STWA40N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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