STWA50N65DM2AG技术参数详情：
STWA50N65DM2AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的MDmesh DM2系列。该器件采用TO-247封装，额定漏源电压高达650V，在25°C壳温下可连续承载38A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（87mΩ @10V, 19A）与优化的栅极电荷（69nC @10V），旨在实现高效率与快速开关性能的平衡。
其最大功率耗散能力为300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为汽车电子（如OBC、DC-DC转换器）和工业高功率开关电源（如UPS、太阳能逆变器）等应用中，提升系统功率密度和能效的理想选择。
- 型号:STWA50N65DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 38A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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