STWA57N65M5

STWA57N65M5是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh V技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与42A的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了可靠的开关解决方案。

其技术亮点包括低至63毫欧的导通电阻（Rds(on)），这直接降低了导通损耗，提升了能效；同时，98nC的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。结合150°C的最高工作结温和250W的功率耗散能力，该器件确保了在高温、高功率环境下的稳定性和耐久性，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业电源与电机驱动系统。

• 型号:STWA57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STWA57N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。