STGD7NB120ST4技术参数详情：
STGD7NB120ST4是意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的表面贴装IGBT。该器件核心特性在于其1200V的击穿电压与10A的连续电流处理能力，为高压中等功率应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在低损耗方面，在15V栅极驱动、7A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2.1V，结合29nC的低栅极电荷，确保了高效的功率转换与较低的驱动需求。55W的最大功耗与DPak（TO-252）封装相结合，在紧凑的尺寸下实现了有效的热管理。
- 型号:STGD7NB120ST4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 10A 55W DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，7A
- 功率 - 最大值:55 W
- 开关能量:3.2J（导通），15mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:29 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:570ns/-
- 测试条件:960V，7A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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